国内一些厂家将灭磁开关建压任务转移到电力电子器件上来。其原理是利用电容的放电过程,使可控硅的电流降到零,并形成反压使之关断。
这类方式下开关动作时间短,因此开关在开断过程中所需遮断能容就小,并且建压速度快,利于快速灭磁。但其缺点是开关动作的可靠性取决于电子回路工作的可靠性。
与机械开关比较它没有触头磨损,易于维护,成本也低。但在大电流系统中不宜采用。它存在两个问题:发热问题及器件选型问题。然而值得注意的是,随着电力电子器件的快速发展,高电压大电流的全控器件也会在不久投入商业运行。电力电子器件将在灭磁中发挥更大的作用。但是长期通流带来的发热仍是采用这种方法需解决的首要问题。
为克服上述两种灭磁方式的缺点,人们开始在材料科学领域探索,寻找一种既不发热,又可以建压的材料。将PTC电阻或钼棒与开关并联,利用材料在温度升高时电阻急剧增加的特点,建立比较高的电压,打通灭磁电阻回路,实现灭磁。也可以采用超导材料串入回路,在需要灭磁时使超导材料失超。但是若要建立比较高的电压,超导体的长度相应比较长,体积比较大。
由于以上灭磁方式的缺陷,业内人士希望能够将可控硅整流桥直接关断,将机械开关移至励磁变低压侧。这样解决了励磁系统具有明显开路点的问题、又解决了机械并联灭磁方式开关难选择的问题。
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